Epitassia a fascio molecolare: Avanzamento dei materiali su scala nanometrica per dispositivi ad alte prestazioni

Il mondo della nanoelettronica si sta evolvendo rapidamente e comprendere le tecnologie all'avanguardia alla base di questo campo è essenziale per professionisti, studenti e appassionati. "Molecular Beam Epitaxy" è una risorsa indispensabile per chiunque voglia approfondire i complessi processi che danno forma alla moderna nanoelettronica. Questo libro fornisce sia conoscenze di base che approfondimenti dettagliati sulle tecniche utilizzate nell'epitassia a fasci molecolari (MBE) e altri metodi avanzati di sintesi dei materiali.

Epitassia a fasci molecolari-esplora le basi dell'MBE e la sua importanza nella fabbricazione di film sottili di alta qualità.

IQE-comprendi l'importanza dell'efficienza quantistica interna nei dispositivi semiconduttori e il suo impatto sulle prestazioni.

Epitassia a fasci chimici-scopri di più sulla CBE, una variante dell'MBE, e sui suoi vantaggi nella crescita di materiali complessi.

Tecniche di produzione del grafene-immergiti nei vari metodi utilizzati per produrre grafene, un materiale cruciale per la futura nanoelettronica.

Deposizione fisica da vapore-scopri la tecnica PVD per la deposizione di film sottili e la sua rilevanza nella produzione di semiconduttori.

MEMS-comprendi il ruolo dei sistemi microelettromeccanici nella moderna nanoelettronica e le loro applicazioni.

Wafer epitassiale-ottieni informazioni sull'uso di wafer epitassiali nella crescita di strati di semiconduttori di alta qualità.

Epitassia laser termica-scopri questa tecnica innovativa per depositare film sottili con un controllo preciso sulle proprietà dei materiali.

Sintesi di nitruro di boro esagonale-esplora i metodi di sintesi per il nitruro di boro esagonale, un materiale essenziale per la nanoelettronica.

Metodo vapore-liquido-solido-approfondisci la tecnica VLS per la crescita di nanofili, un componente chiave dei dispositivi nanoelettronici.

Nitruro di gallio-comprendi il ruolo del nitruro di gallio nell'elettronica di potenza e nell'optoelettronica.

Deposizione mediante sputtering-esplora lo sputtering come tecnica versatile per la deposizione di film sottili nella nanoelettronica.

Arsenuro di indio e gallio-scopri le proprietà dell'arseniuro di indio e gallio e le sue applicazioni nei dispositivi ad alta velocità.

Ingegneria del bandgap-scopri il concetto di ingegneria del bandgap e la sua importanza nell'ottimizzazione dei materiali semiconduttori.

Film sottile-studia i fondamenti della deposizione di film sottili e la sua applicazione nella moderna nanoelettronica.

Fabbricazione di dispositivi semiconduttori-comprendi i processi chiave nella fabbricazione di semiconduttori, essenziali per la produzione di dispositivi nanoelettronici.

Arsenuro di gallio-esplora l'uso dell'arseniuro di gallio nei dispositivi ad alte prestazioni e nell'optoelettronica.

Epitassia-approfondisci i principi e le tecniche dell'epitassia, un processo cruciale nella crescita di materiali cristallini di alta qualità.

Epitassia selettiva ad area-scopri di più sull'epitassia selettiva ad area e sulla sua capacità di controllare la crescita dei materiali in regioni specifiche.

Crescita di Stranski–Krastanov-esplora questa modalità di crescita utilizzata per creare eterostrutture di alta qualità nei dispositivi semiconduttori.

Deposizione laser pulsata-scopri la tecnica di deposizione laser pulsata, utilizzata per creare film sottili con un controllo preciso sulle proprietà dei materiali.

1147147576