Nitruro de indio-aluminio (InAlN): las celdas solares del futuro
La aleación ternaria semiconductora de nitruro de indio y aluminio (InxAl1-xN) despierta
cada vez mayor interés en la industria, debido a sus potenciales aplicaciones en dispositivos
optoelectrónicos y fotovoltaicos. Debido a esto, en la última década han aumentado las
investigaciones de este interesante material, especialmente para su empleo en futuras
aplicaciones en celdas solares. En este libro presentamos las propiedades químicas, físicas,
estructurales, morfológicas, ópticas y eléctricas de este semiconductor. El principal aporte
es usar diversas estrategias para obtenerlo a un costo menor respecto a los métodos
epitaxiales usados en celdas solares multiunión con eficiencia récord mundial. Para esto se
obtuvo el material tanto por magnetrón sputtering Radio Frequency como por sputtering
Direct Current; mediante el uso de un único blanco de InAl y a temperatura ambiente.
Asimismo, se sintetizaron películas amorfas, policristalinas y altamente cristalinas, lo cual
permite alto grado de versatilidad en la metodología propuesta.
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Nitruro de indio-aluminio (InAlN): las celdas solares del futuro
La aleación ternaria semiconductora de nitruro de indio y aluminio (InxAl1-xN) despierta
cada vez mayor interés en la industria, debido a sus potenciales aplicaciones en dispositivos
optoelectrónicos y fotovoltaicos. Debido a esto, en la última década han aumentado las
investigaciones de este interesante material, especialmente para su empleo en futuras
aplicaciones en celdas solares. En este libro presentamos las propiedades químicas, físicas,
estructurales, morfológicas, ópticas y eléctricas de este semiconductor. El principal aporte
es usar diversas estrategias para obtenerlo a un costo menor respecto a los métodos
epitaxiales usados en celdas solares multiunión con eficiencia récord mundial. Para esto se
obtuvo el material tanto por magnetrón sputtering Radio Frequency como por sputtering
Direct Current; mediante el uso de un único blanco de InAl y a temperatura ambiente.
Asimismo, se sintetizaron películas amorfas, policristalinas y altamente cristalinas, lo cual
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La aleación ternaria semiconductora de nitruro de indio y aluminio (InxAl1-xN) despierta
cada vez mayor interés en la industria, debido a sus potenciales aplicaciones en dispositivos
optoelectrónicos y fotovoltaicos. Debido a esto, en la última década han aumentado las
investigaciones de este interesante material, especialmente para su empleo en futuras
aplicaciones en celdas solares. En este libro presentamos las propiedades químicas, físicas,
estructurales, morfológicas, ópticas y eléctricas de este semiconductor. El principal aporte
es usar diversas estrategias para obtenerlo a un costo menor respecto a los métodos
epitaxiales usados en celdas solares multiunión con eficiencia récord mundial. Para esto se
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Direct Current; mediante el uso de un único blanco de InAl y a temperatura ambiente.
Asimismo, se sintetizaron películas amorfas, policristalinas y altamente cristalinas, lo cual
permite alto grado de versatilidad en la metodología propuesta.

Product Details

ISBN-13: 9789585052161
Publisher: Universidad Nacional de Colombia
Publication date: 02/12/2024
Sold by: Bookwire
Format: eBook
Pages: 108
File size: 6 MB
Language: Spanish

Table of Contents

Introducción Capítulo 1 Estado del arte Propiedades ópticas de InAlN Propiedades eléctricas del InAlN Propiedades estructurales y morfológicas del InAlN Condiciones de obtención de InAlN mediante técnicas epitaxiales Condiciones de obtención de InAlN mediante magnetrón sputtering RF Capítulo 2 Experimental Técnica de magnetrón sputtering Diseño experimental Capítulo 3 Estudio de las propiedades del InAlN en función de la fracción molar de indio Introducción Metodología Resultados y discusión Conclusiones Capítulo 4 Estudio de las propiedades del InAlN en función del espesor Introducción Metodología Resultados y discusión Conclusiones Capítulo 5 Estudio de las propiedades del InAlN en función del tipo de sustrato Introducción Metodología Resultados y discusión Conclusiones Capítulo 6 Construcción de un dispositivo de celda solar heterounión InAl-n/Si-p Introducción Condiciones de depósito Caracterización química Caracterización eléctrica Diseño del contacto eléctrico posterior Diseño del contacto eléctrico frontal Construcción de la celda solar heterounión InAl-Si Conclusión Capítulo 7 Conclusiones y recomendaciones Referencias Índice temático
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