Transistorverst�rker: Technische Grundlagen

Transistorverst�rker: Technische Grundlagen

by Hans-Dieter Kirschbaum

Paperback(4, �berarb., erw. Aufl. 1989)

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Product Details

ISBN-13: 9783519300625
Publisher: Vieweg+Teubner Verlag
Publication date: 03/14/2012
Series: Teubner Studienskripte Technik
Edition description: 4, �berarb., erw. Aufl. 1989
Pages: 244
Product dimensions: 5.00(w) x 7.99(h) x 0.02(d)

About the Author

Dr.-Ing. Hans-Dieter Kirschbaum, FH Koblenz

Table of Contents

1. Zählrichtungen und Vorzeichen für Transistorströme und -Spannungen.- 2. Transistor-Grundschaltungen.- 3. Transistor-Kennlinien.- 4. Bezeichnungsschema für Transistoren.- 5. Grundlegende Gleich- und Wechselstromeigenschaften.- 5.1. Wechselstrom-Arbeitswiderstand.- 5.2. Wechselstrom-Eingangswiderstand.- 5.3. Gleichstromwiderstände.- 5.4. Gleichstromverstärkung.- 5.5. Wechselstromverstärkung.- 5.6. Steilheit in Emitter-Schaltung.- 5.7. Spannungsrückwirkung.- 5.8. Darstellung der Kenngrößen im Datenbuch.- 5.9. Näherungsformeln für die Praxis.- 6. Arbeitsgerade.- 6.1. Gleichstrom-Arbeitsgerade.- 6.2. Wechselstrom-Arbeitsgerade.- 7. Dynamische Kennlinie.- 8. Verlustleistung und Kristalltemperatur.- 8.1. Allgemeine Grundlagen.- 8.2. Dimensionierung von Kühlblechen.- 8.3. Stationäre Verlustleistung.- 8.4. Verlustleistungshyperbel.- 8.5. Berechnungsbeispiele.- 8.6. Oberflächenmontierte Transistoren.- 9. Restströme.- 10. Einstellung und Stabilisierung des Transistor-Arbeitspunktes.- 10.1. Konstante Versorgungsspannung UBE und UCE.- 10.2. Prinzip der “halben Speisespannung“.- 10.3. Gleichstrom-Gegenkopplung und niederohmiger Basis-Spannungsteiler.- 10.4. Basisvorwiderstand.- 10.5. Kollektor-Basis-Widerstand.- 10.6. Basisspannungsteiler mit NTC-Widerstand.- 10.7. Arbeitspunktstabilisierung mit einer Diode.- 11. Arbeitsbereiche, Grenzdaten, Durchbruch.- 11.1. Arbeitsbereiche des Transistors.- 11.2. Grenzdaten, erster und zweiter Durchbruch.- 11.3. Erlaubter Arbeitsbereich.- 11.4. Zur Wahl des Arbeitspunktes.- 12. Feldeffekttransistoren.- 12.1. Sperrschicht-Feldeffekttransistoren.- 12.1.1. Statische Eigenschaften/Kennlinien.- 12.1.2. Steilheit.- 12.2. MOS-Feldeffekttransistoren.- 12.3. Einteilung der FET-Typen.- 12.4. Temperaturverhalten.- 12.5. Arbeitspunkteinstellung.- Liste der wichtigsten Formelzeichen.

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