Theorie und Praxis der Halbleiterdetektoren für Kernstrahlung

Theorie und Praxis der Halbleiterdetektoren für Kernstrahlung

by H. Büker

Paperback(Softcover reprint of the original 1st ed. 1971)

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Product Details

ISBN-13: 9783642806148
Publisher: Springer Berlin Heidelberg
Publication date: 12/15/2011
Series: Technische Physik in Einzeldarstellungen , #17
Edition description: Softcover reprint of the original 1st ed. 1971
Pages: 304
Product dimensions: 6.10(w) x 9.25(h) x 0.03(d)

Table of Contents

1. Arten und Eigenschaften der Kernstrahlung.- 1.1 Die Arten der Kernstrahlung.- 1.2 Wechselwirkungen zwischen Kernstrahlung und Materie.- 1.2.1 Die Wechselwirkungen zwischen Ionen und Materie.- 1.2.2 Die Wechselwirkungen zwischen Elektronen und Materie.- 1.2.3 Die Wechselwirkungen zwischen Gammaquanten und Materie.- 1.2.4 Die Wechselwirkungen zwischen Neutronen und Materie.- Literatur.- 2. Nachweismethoden für Kernstrahlung.- 2.1 Einführung.- 2.2 Gasgefüllte Zähler.- 2.3 Szintillationszähler.- 2.4 Neutronendetektoren.- Literatur.- 3. Der Halbleiterdetektor.- 3.1 Einführung.- 3.2 Physikalische Eigenschaften von Halbleitern.- 3.3 Der p-n-Übergang.- 3.4 Die Arbeitsweise eines idealen Halbleiters.- 3.4.1 Der Aufbau des Ausgangsimpulses.- 3.4.2 Ursachen für eine Verfälschung des Ausgangsimpulses.- 3.4.2.1 Der Plasmaeffekt.- 3.4.2.2 Die Verringerung der Primärionisation.- 3.4.2.3 Die Wirkung von Einfangzentren.- 3.5 Der Metall-Halbleiter-Kontakt.- 3.6 Der Halbleiterdetektor mit Sperrschicht.- 3.6.1 Einführung.- 3.6.2 Der Oberflächensperrschichtzähler.- 3.6.3 Der diffundierte Sperrschichtzähler.- 3.6.4 k Der lithiumgedriftete Halbleiterdetektor.- 3.7 Die Begrenzung der Energie- und Zeitauflösung von Halbleiterdetektoren.- 3.7.1 Die Energieauflösung.- 3.7.1.1 Einführung.- 3.7.1.2 Die Statistik der Ladungsträgerbildung.- 3.7.1.3 Der Einfluß des Strahleintrittsfensters.- 3.7.1.4 Die Wirkung von Einfangzentren.- 3.7.1.5 Das elektrische Rauschen.- 3.7.1.6 Der Diffusions- und Volumenstrom.- 3.7.2 Die Zeitauflösung.- 3.7.2.1 Einführung.- 3.7.2.2 Die Ladungssammelzeiten bei lithiumgedrifteten Detektoren.- 3.7.2.3 Die Ladungssammelzeiten bei Oberfiächensperrschicht und diffundierten Sperrschichtdetektoren.- 3.7.2.4 Die systematische und statistische Schwankung der Apparatezeit.- 3.7.2.5 Die erreichbaren Zeitauflösungen.- 3.8 Die Einflüsse von Temperatur, Licht und Magnetfeldern auf das Detektorverhalten.- 3.9 Werkstoffe für den Bau von Halbleiterdetektoren.- Literatur.- 4. Die Herstellung von Halbleiterdetektoren.- 4.1 Oberflächensperrschichtzähler.- 4.2 Diffundierte Sperrschichtzähler.- 4.3 Lithiumgedriftete Halbleiterdetektoren.- 4.3.1 Si(Li)-Detektoren.- 4.3.2 Ge(Li)-Detektoren.- 4.4 Die Kapselung von Halbleiterdetektoren.- 4.4.1 Die Kapselung von Silizium-Oberflächensperrschicht- und diffundierten Sperrschichtdetektoren.- 4.4.2 Die Kapselung von lithiumgedrifteten Detektoren.- 4.4.3 Der Kryostat.- Literatur.- 5. Die rauscharme Elektronik zum Betrieb von Halbleiterdetektoren.- 5.1 Einführung.- 5.2 Der rauscharme Vorverstärker.- 5.2.1 Der mit Röhren bestückte Vorverstärker.- 5.2.2 Der mit Transistoren bestückte Vorverstärker.- Literatur.- 6. Die Anwendung von Halbleiterdetektoren in Forschung und Technik.- 6.1 Teilchenspektroskopie.- 6.1.1 Die Alphaspektroskopie.- 6.1.2 Die Spektroskopie geladener Teilchen.- 6.1.3 Teilchenidentifikation.- 6.1.4 Spaltfragmentuntersuchungen.- 6.1.5 Untersuchungen im Bereich der Hochenergiephysik.- 6.1.6 Elektronen- und Betaspektroskopie.- 6.2 Quantenspektroskopie.- 6.2.1 Einführung.- 6.2.2 Das Photopeak-Spektrometer.- 6.2.3 Das Paarspektrometer.- 6.2.4 Das Röntgenspektrometer.- 6.3 Neutronenspektroskopie.- Literatur.- 7. Anhang.- 7.1 Tabellen.- 7.2 Nomogramme.

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