Le transistor cmos: la course vers le nanomonde...

Ce travail de thèse est constitué de deux grandes parties. Dans la première partie, nous avons étudié la redistribution du B dans le Si(001), à l''ambiante et après recuit thermique, à l''aide principalement de la sonde atomique tomographique. Pour cette étude, le Si a été fortement dopé en B. La concentration en B dans le Si peut alors dépasser la limite de solubilité. On est donc dans le cas d''un système sursaturé. Dans ce cas, nous avons observé qu''à la formation de défauts (BIC''s, et...