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Integrationstechniken für Feldeffekttransistoren mit halbleitenden Nanopartikeln: Einzel- und Multipartikel-Bauelemente

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Um die Produktionskosten zu reduzieren und neue Anwendungsgebiete zu erschließen, wird in den letzten Jahren zusehends die Herstellung von integrierten Schaltungen mittels Drucktechniken angestrebt. Eine aussichtsreiche Materialklasse für den Einsatz in gedruckten Halbleiterbauelementen stellen anorganische Nanopartikel dar. Insbesondere eignen sich hierfür halbleitende Nanopartikel aufgrund der theoretisch hohen Ladungsträgerbeweglichkeit und der Materialverfügbarkeit.
Karsten Wolff unter...